Les avantages d'un chargeur GaN

Les chargeurs au nitrure de gallium (GaN) étaient partout au CES 2020. Cette alternative contemporaine au silicium signifie que des chargeurs plus petits et plus efficaces et des briques électriques sont en route.

Les chargeurs GaN sont physiquement plus petits que les chargeurs actuels. Cela est souvent dû au fait que les chargeurs au nitrure de gallium ne nécessitent pas autant de composants que les chargeurs au silicium.le tissu est en mesure de conduire des tensions beaucoup plus élevées au fil du temps que le silicium.

Les chargeurs GaN sont non seulement plus efficaces dans le transfert de courant, mais cela signifie aussi moins d'énergie est perdue en chaleur.Lorsque les composants sont plus efficaces pour transmettre de l'énergie à vos appareils, vous en avez généralement besoin de moins.

En conséquence, les briques et les chargeurs GaN seront nettement plus petits lorsque la technologie deviendra plus répandue.comme une meilleure fréquence de commutation qui permet un transfert de puissance sans fil plus rapide, et des espaces plus grands entre le chargeur et l'appareil.

À l'heure actuelle, les semi-conducteurs GaN coûtent généralement le même prix que le silicium.Éléments de circuit ETUn fabricant estime une économie de 10 à 20% de coûts dans ce domaine, ce qui pourrait s'améliorer encore une fois que l'avantage économique de la production à grande échelle sera atteint.

Vous pourriez même économiser un peu d'argent sur votre facture d'électricité puisque des chargeurs plus efficaces signifient moins de gaspillage d'énergie.comme les ordinateurs portables et les smartphonesJe ne sais pas.

Qu'est-ce que le nitrure de gallium?
Le nitrure de gallium peut être un matériau semi-conducteur qui a pris de l'importance dans les années 1990 grâce à la fabrication de LED.et des écrans LED en couleur que vous verrez en plein jourDans les lecteurs Blu-ray DVD, GaN produit la lumière bleue qui lit les informations du DVD.

Les fabricants de silicium ont travaillé sans relâche pendant de nombreuses années pour améliorer les transistors à base de silicium.Conformément à la loi de Moore (nommée d'après le cofondateur de Fairchild Semiconductor et, plus tard, le PDG d'Intel, Gordon Moore), la quantité de transistors dans un circuit intégré en silicium double environ tous les deux ans.

Cette observation a été faite en 1965, et elle a été largement vraie au cours des 50 dernières années.De nombreux analystes (et Moore lui-même) prédisent que la loi de Moore sera obsolète d'ici 2025.

La production de transistors GaN a augmenté en 2006. Les processus de fabrication améliorés signifient que les transistors GaN sont souvent fabriqués dans les mêmes installations que le type silicium.Cela maintient les coûts bas et encourage plus de fabricants de silicium à utiliser GaN pour fournir des transistors à la place.

Pourquoi le nitrure de gallium est- il supérieur au silicium?
Les avantages du GaN par rapport au silicium se résument à l'efficacité énergétique.

Tous les matériaux semi-conducteurs ont ce qu'on appelle un bandgap. c'est souvent une maison d'énergie dans un solide où aucun électron ne peut exister.On dit qu'un bandgap est la capacité d'un matériau solide à conduire l'électricité.Le nitrure de gallium possède une bande passante de 3,4 eV, comparativement au silicium, qui a une bande passante de 1,12 eV.

Efficient Power Conversion Corporation, un autre fabricant de GaN, a déclaré que le GaN est capable de conduire les électrons 1000 fois plus efficacement que le silicium, et avec des coûts de fabrication inférieurs,à démarrer.

Une efficacité plus élevée signifie que le présent peut subir une puce GaN plus rapidement qu'une puce de silicium.Les puces faites de GaN vont être plus rapides., plus petits, plus économes en énergie et (éventuellement) moins chers que ceux fabriqués à partir de silicium.